場效應電晶體(FET)原理與應用

📝 歷屆考古題

• 114年 統測 第31題
  下列有關MOSFET之敘述，何者正確？
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• 114年 統測 第32題
  如圖(十九)所示電路，$V_{DD}=12$V，MOSFET 之夾止(pinch-off)電壓$V_p=-3$V，$I_{DSS}=9$mA，工作點之$I_D =1.44$mA，則電阻$R_{G1}$…
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• 114年 統測 第33題
  一 N 通道 D-MOSFET 電路操作於飽和區 ( 夾止區 ) ，MOSFET 之夾止電壓 $V_p = - 4$ V，$I_{DSS} = 10$ mA，工作點之$V_{GS}=-3$V，則此工作…
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• 114年 統測 第34題
  則此工作點下之 MOSFET 交流轉移電導$g_m$為何？
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• 114年 統測 第35題
  則此工作點下之輸入阻抗$Z_i$約為何？
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• 114年 統測 第46題
  如圖 ( 二十九 ) 所示串級放大實驗電路，MOSFET $Q_1$ 之參數 $K_1 = 0.5$ mA / V$^2$、臨界電壓$V_{t1}=1$V， $Q_2$ 之參數$K_2=0.5$mA/…
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• 113年 統測 第32題
  下列有關電晶體之敘述，何者正確？
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• 113年 統測 第33題
  如圖(二十一)所示放大電路，電晶體操作於飽和區，若 N 通道 MOSFET 工作點之轉移電導 $g_m=4\text{mA/V}$，$R_D=2\text{k}\Omega$，$R_S=1\text{k}\Omega$…
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• 113年 統測 第34題
  如圖(二十二)所示電路之 N 通道 MOSFET 疊接放大電路，電晶體 $M_1$ 之臨界電壓 (threshold voltage) $V_{t1}=3\text{V}$、參數 $K_1=4\text{mA/V}^2$…
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• 113年 統測 第35題
  若要將汲、源極間之工作點電壓 $V_{DS}$ 設定為 $7.5\text{V}$，則電阻 $R_G$ 之選用應為何？
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• 113年 統測 第36題
  若工作點電壓 $V_{DS}$ 設定為 $7.5\text{V}$，並忽略汲極電阻 $r_d$，則電壓增益 $A_v=v_o/v_i$ 約為何？
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• 113年 統測 第46題
  如圖(三十)所示實驗電路，調整 $V_G$ 以控制閘源極間電壓 $V_{GS}$，調整 $V_{DD}$ 以操作汲源極間電壓 $V_{DS}$。若 MOSFET 之臨界電壓 $V_t=2.5\text{V}$…
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• 113年 統測 第47題
  如圖(三十一)所示實驗電路，MOSFET 臨界電壓 $V_t=2\text{V}$，$V_G=2.5\text{V}$，$R_D=1.2\text{k}\Omega$，$V_{DD}$ 接於電源供應器…
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• 112年 統測 第33題
  某 N 通道空乏型 MOSFET，夾止 (pinch-off) 電壓 $V_P = -3\text{V}$，$I_{DSS} = 10\text{mA}$，於電路中將其偏壓操作於飽和區，且閘-源極間電…
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• 112年 統測 第34題
  如圖(十八)所示電路，MOSFET 之臨界電壓 (threshold voltage) $V_t=2\text{V}$，參數 $K=0.5\text{mA}/\text{V}^2$，$R_D=2.2\text{k}\Omega$…
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• 112年 統測 第35題
  如圖(十九)所示 MOSFET 放大電路，$R_G=1.2\text{M}\Omega$，$R_D=2.2\text{k}\Omega$，$R_S=1.2\text{k}\Omega$，$R_L=10\text{k}\Omega$…
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• 112年 統測 第36題
  如圖(二十)所示 MOSFET 疊接放大電路，$R_S = 300\Omega$，$R_D = 2.7\text{k}\Omega$，$R_{G1} = R_{G2} = 3\text{M}\Omega$…
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• 112年 統測 第47題
  如圖(二十七)(a)之 MOSFET 實驗電路，$R_S=300\Omega$，$VR$ 已調整使得放大電路操作於最佳工作點。信號產生器 (F.G.) 頻率設於 $2\text{kHz}$，以示波器…
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• 111年 統測 第35題
  一個P通道增強型MOSFET的臨界電壓$V_t= -0.5\text{V}$，若量得各極對此電路的參考點之電壓分別為閘極電壓$V_G =0 \text{ V}$，汲極電壓$V_D = 3.0 \text{ V}$…
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• 111年 統測 第46題
  有關 MOSFET 共源極 CS 組態電路與共閘極 CG 組態電路組成之疊接放大電路，下列敘述何者正確？
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• 111年 統測 第47題
  某增強型N通道MOSFET共汲極(CD)放大電路工作於飽和區，當輸入信號為頻率500Hz、峰對峰值1V之正弦波，在輸出信號不失真下，若以示波器觀測其輸出信號波形，則下列敘述何者正確？
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• 111年 統測 第48題
  某N通道增強型MOSFET工作於飽和區，臨界電壓$V_t=1\text{V}$，參數$K=2\text{mA/V}^2$且閘 - 源極間電壓$V_{GS}=3\text{V}$，則參數互導$g_m$約…
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• 110年 統測 第15題
  如圖(九)所示電路，JFET 之截止電壓 $V_{GS(OFF)}=-4 \text{ V}$，$I_{DSS}=6 \text{ mA}$，若 JFET 工作於飽和區，則直流電壓源 $V_{DD}$…
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• 110年 統測 第16題
  某 N 通道增強型 MOSFET 之臨界電壓 (threshold voltage) $V_T = 2 \text{ V}$，當工作於飽和區且閘-源極間電壓 $V_{GS}=4 \text{ V}$…
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• 110年 統測 第17題
  如圖(十)所示電路，MOSFET 之臨界電壓 $V_T=2 \text{ V}$，參數 $K= 1.2 \text{ mA/V}^2$，則電壓 $V_{DS}$ 約為何？
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• 110年 統測 第18題
  如圖(十一)所示電路，JFET 之互導 $g_m =10 \text{ mA/V}$ 且工作於飽和區，當旁路電容 $C_s$ 移除後，此放大器電壓增益 $v_o / v_i$ 變化為何？
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• 110年 統測 第19題
  如圖(十二)所示電路，JFET 之互導 $g_m = 5 \text{ mA/V}$ 且工作於飽和區，此放大器之電壓增益 $v_o / v_i$ 為何？
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• 109年 統測 第1題
  有關各種N通道場效電晶體偏壓於飽和區(定電流區)工作，下列敘述何者正確？
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• 109年 統測 第2題
  如圖(一)所示之 MOSFET 電路，MOSFET 之臨界電壓 (threshold voltage) $V_T = 1.8 \text{V}$，參數 $K = 1.2 \text{mA/V}^2$，…
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• 109年 統測 第3題
  操作於飽和區之 JFET 放大電路，其 $I_{DSS} = 6 \text{mA}$，夾止電壓 (pinch-off voltage) $V_P = -3 \text{V}$，若電路工作點之 $V_{GS} = -2 \text{V}$…
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• 109年 統測 第4題
  如圖(二)所示之 MOSFET 放大電路，已知 MOSFET 之臨界電壓 $V_T = 1.5 \text{V}$，參數 $K = 2 \text{mA/V}^2$。若 $V_{DD} = 15 \text{V}$…
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• 109年 統測 第5題
  如圖(三)所示之 JFET 放大電路，已知 JFET 之夾止電壓 $V_P = -2 \text{V}$，$I_{DSS} = 6 \text{mA}$。若 $V_{DD} = 9 \text{V}$…
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• 108年 統測 第9題
  如圖(三)所示之放大器電路，MOSFET之$I_{DSS}=12 ext{mA}$，夾止電壓(pinch-off voltage)$V_P=-2 ext{V}$，其工作點之$I_D=3 ext{mA}$…
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• 108年 統測 第10題
  如圖(四)所示之放大器電路，JFET之$g_m=40 ext{mA/V}$，則此放大器之小信號電壓增益$A_v=v_o/v_i$約為何？
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• 108年 統測 第24題
  如圖(十三)所示之JFET電路，$V_{DD}=12 ext{V}$，$R_{G1}=600 ext{k}\Omega$，$R_{G2}=120 ext{k}\Omega$，$R_D=4.7 ext{k}\Omega$…
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• 108年 統測 第25題
  如圖(十四)所示之增強型MOSFET電路，其臨界電壓(threshold voltage)$V_T=2.25 ext{V}$，參數$K=0.8 ext{mA/V}^2$，$V_{DD}=15 ext{V}$…
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• 107年 統測 第15題
  如圖(七)所示之 JFET 電晶體電路，已知該電晶體截止電壓 $V_{GS(off)} = -5\text{V}$，直流閘源極電壓 $V_{GS}=-4\text{V}$ 時，$I_D=0.5\text{mA}$…
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• 107年 統測 第16題
  如圖(八)所示之 MOSFET 電晶體電路，該電晶體之臨界電壓(threshold voltage) $V_T=4\text{V}$，參數 $K=0.5\text{mA/V}^2$，電路操作於飽和區工…
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• 107年 統測 第17題
  某工作在夾止區的 N 通道 JFET 電晶體，直流工作點之閘源極電壓 $V_{GS}=-2\text{V}$，汲極電流 $I_D=3\text{mA}$ 時，互導 $g_m=3\text{mA/V}$…
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• 107年 統測 第18題
  如圖(九)所示之增強型 MOSFET 電晶體電路，其參數 $K=2\text{mA/V}^2$，直流汲極電流 $I_D=2\text{mA}$。若汲極交流電阻 $r_d$ 忽略不計，則小信號電壓增益…
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• 107年 統測 第19題
  如圖(十)所示之 N 通道 JFET 電晶體電路，其截止電壓 $V_{GS(off)}=-3\text{V}$，直流工作點之 $V_{GS}=-1\text{V}$，汲極電流 $I_D=8\text{mA}$…
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• 106年 統測 第16題
  如圖(十)所示電路，其中 $Q_1$ 與 $Q_2$ 的臨界電壓(threshold voltage)分別為 $1\text{V}$ 與 $-1\text{V}$。當 $V_i=0\text{V}$…
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• 106年 統測 第17題
  如圖(十一)所示電路，若 MOSFET 的臨界電壓(threshold voltage) $V_T=2\text{V}$，且其參數 $K=1\text{mA}/\text{V}^2$。欲設計使其工作在…
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• 106年 統測 第18題
  如圖(十二)所示之 FET 小信號模型電路，其中放大因數 $\mu=g_m r_d$，則由輸出端 $v_o$ 看入的輸出阻抗 $Z_o$ 為何？
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• 106年 統測 第19題
  如圖(十三)所示電路，JFET 工作於飽和區，其轉移電導 $g_m=0.5\text{mA}/\text{V}$， $r_d$ 忽略不計，則其電流增益 $I_o/I_i$ 約為何？
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• 105年 統測 第15題
  下列各元件之符號名稱，何者正確？
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• 105年 統測 第16題
  如圖(八)所示電路，其中MOSFET的參數$K=0.5\text{mA}/\text{V}^2$、臨界電壓(threshold voltage) $V_{th}=2\text{V}$。若其汲極電流$I_D=0.5\text{mA}$…
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• 105年 統測 第17題
  某N通道JFET之夾止電壓(pinch-off voltage) $V_P=-4\text{V}$、$I_{DSS}=16\text{mA}$，當其閘極電壓$V_G=-6\text{V}$、源極電壓$V_S=0\text{V}$…
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• 105年 統測 第18題
  如圖(九)所示電路，其中JFET之夾止電壓$V_P=-4\text{V}$。已知此JFET放大電路的工作點為 $V_{DS}=3\text{V}$、$I_D=1\text{mA}$，汲極電阻$r_d$…
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• 105年 統測 第19題
  如圖(十)所示電路，若MOSFET電晶體之轉移電導$g_m=2\text{mA}/\text{V}$，汲極電阻$r_d=50\text{k}\Omega$，則此電路之小訊號電壓增益$V_o/V_i$約…
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